标准简介
GB/T4937的本部分规定了强加速稳态湿热试验(HAST)方法,用于评价非气密封装半导体器件在潮湿的环境下的可靠性。英文名称：Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 4: Damp heat, steady state, highly accelerated stress test (HAST)
标准状态：现行
中标分类：电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L40半导体分立器件综合
ICS分类：电子学>>半导体器件>>31.080.01半导体器件综合
发布部门：国家质量监督检验检疫.
发布日期：2012-11-05
实施日期：2013-02-15
出版日期：2013-02-15
页数：8页
前言
GB/T4937《半导体器件 机械和气候试验方法》由以下部分组成:———第1部分:总则;———第2部分:低气压;———第3部分:外部目检;———第4部分:强加速稳态湿热试验(HAST);———第5部分:稳态温湿度偏置寿命试验;———第6部分:高温贮存;———第7部分:内部水汽含量测试和其他残余气体分析;———第8部分:密封;———第9部分:标志耐久性;———第10部分:机械冲击;———第11部分:快速温度变化 双液槽法;———第12部分:变频振动;———第13部分:盐气;———第14部分:引线牢固性(引线强度);———第15部分:通孔安装器件的耐焊接热;———第16部分:粒子碰撞噪声检测(PIND);———第17部分:中子辐射;———第18部分:电离辐射(总剂量);———第19部分:芯片剪切强度;———第20部分:塑封表面安装器件的耐湿和耐焊接热;———第21部分:可焊性;———第22部分:键合强度;———第23部分:高温工作寿命;———第24部分:加速耐湿 无偏置强加速应力试验;———第25部分:温度循环;———第26部分:静电放电(ESD)敏感度试验 人体模式(HBM);———第27部分:静电放电(ESD)敏感度试验 机械模式(MM);———第28部分:静电放电(ESD)敏感度试验 器件带电模式(CDM)(考虑中);———第29部分:门锁试验;———第30部分:非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理;———第31部分:塑封器件的易燃性(内部引起的);———第32部分:塑封器件的易燃性(外部引起的);———第33部分:加速耐湿 无偏置高压蒸煮;———第34部分:功率循环;———第35部分:塑封电子元器件的声学扫描;———第36部分:恒定加速度;———第37部分:手持电子产品用元器件桌面跌落试验方法;———第38部分:半导体器件的软错误试验方法;———第39部分:半导体元器件原材料的潮气扩散率和水溶解率测量。本部分是GB/T4937的第4部分。本部分按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。本部分使用翻译法等同采用IEC60749-4:2002《半导体器件 机械和气候试验方法 第4部分:强加速稳态湿热试验(HAST)》。为便于使用,本部分做了下列编辑性修改和勘误:a) 用小数点“.”代替作为小数点的逗号“,”;b) 删除国际标准的前言;c) 将第8章e)中“见3.1”改为“见4.2”。本部分由中华人民共和国工业和信息化部提出。本部分由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。本部分起草单位:中国电子科技集团公司第十三研究所。本部分主要起草人:李丽霞、陈海蓉、崔波。
