标准简介
本标准适用于检测硅单晶中的电活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、铝(Al)、锑(Sb)和镓(Ga)的含量。 本标准所适用的硅中每一种电活性元素杂质或掺杂剂浓度范围为(0.01×10-9~5.0×10-9)a。英文名称：Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities
标准状态：现行
替代情况：被GB/T 24581-2022代替
中标分类：冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：电气工程>>29.045半导体材料
发布部门：国家质量监督检验检疫.
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
作废日期：2022-10-01 即将作废 距离作废日期还有16天
出版日期：2010-06-01
页数：12页
前言
本标准等同采用SEMIMF1630?0704《低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测试方法》。本标准与SEMIMF1630?0704相比,主要有如下变化:---用实际测量到的红外谱图代替SEMIMF1630?0704标准中的图2、图3。---用实验得到的单一实验室测试精密度代替SEMIMF1630?0704中给出的单一实验室测试精密度。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。本标准起草单位:四川新光硅业科技有限责任公司。本标准主要起草人:梁洪、过惠芬、吴道荣。
