1范围
本标准规定了双*、MOS、结型场效应半导体集成电路模拟开关(以下称为器件)参数测试方法。本标准适用于半导体集成电路模拟开关,也适用于多路转换器参数的测试。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其*新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 17940—2000半导体器件集成电路第3部分:模拟集成电路
3术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。3.1
模拟电压工作范围analog switch range
在导通电流为额定值时模拟开关传送的电压范围。3.2
导通电阻on resistance
模拟开关导通时,开关两端间的电阻。3.3
导通电阻路差on resistance match between channels
对于含多个模拟开关的器件或模拟多路转换器,各路开关导通电阻间的*大差值。3.4
截止态漏*漏电流drain off leakage
在模拟开关截止时,流经模拟开关漏*的电流。3.5
截止态源*漏电流source off leakage
在模拟开关截止时,流经模拟开关源*的电流。3.6
导通态漏电流channel on leakage
模拟开关的导通通路与电路其他部分之间的漏电流。3.7
开启时间switch on time
在控制信号作用下,模拟开关开启所需要的时间。
