1主题内容与适用范围
本标准规定了半导体集成电路电压/颜率和频率/电压转换器(以下简称器件)测试方法的基本原理。本标准适用于半导体集成电路电压/频率和颜率/电压转换器的电参数测试。
2引用标准
GB 3439半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理
GB 3442半导体集成电路运算(电压>放大器测试方法的基本原理GB 3834半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理
3总的要求
3.1若无特殊说明,测试期间,环境或参考点温度偏离规定值的范围应符合器件详细规范的规定。3.2测试期间,应避免外界干扰对测试精度的影响,测试设备引起的测试误差应符合器件详细规范的规定。
3.3测试期间,施于被测试器件的电参量应符合器件详细规范的规定。3.4被测器件与测试系统连接或断开时,不应超过器件的使用*限条件。3.5若有要求时,应按器件详细规范规定的顺序接通电源。
3.6测试期间,被测器件应按器件详细规范的规定连接外接网络。3.7测试期间,被测器件应避免出现自激现象。
3.8若电参数值是由几步测试的结果经计算而确定时;这些测试的时间间隔应尽可能短。